Molekulares Engineering von Nanoröhren-Transistoren

Links: FET, bestehend aus einer halbleitenden Kohlenstoff-Nanoröhre (zwischen den Elektroden E1 und E2/E3), welche mit einer metallischen Nanoröhre als seitlichem Gate (verbunden mit E4/E5) versehen ist.
Rechts: Elektrische Leitfähigkeit der halbleitenden Nanoröhre als Funktion der Spannung, welche an die metallische Röhre ("carbon gate") gelegt wird.

AFM-Aufnahme einer elektrochemisch beschichteten halbleitenden Nanoröhre, die mit einem Top-Gate aus Gold versehen ist (ca. 200 nm breite, horizontal verlaufende Bahn). Die Dicke der aufgebrachten Polymerschicht beträgt ca. 4 nm und der Abstand von Source- und Drain-Elektrode ca. 1,5 µm.